Modiwlau APD InGaAs

Model: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Disgrifiad Byr:

Mae'n fodiwl ffotodiode eirlithriad indium gallium arsenide gyda chylched cyn-mwyhad sy'n galluogi ymhelaethu ar y signal cerrynt gwan a'i drawsnewid yn signal foltedd i gyflawni'r broses drosi o chwyddo signal ffoton-ffotodrydanol.

cael dyfynbris Lawrlwythwch

Paramedr Technegol

Tagiau Cynnyrch

Nodweddion

Sglodyn fflat wedi'i oleuo o'r blaen
Ymateb cyflym
Sensitifrwydd uchel y synhwyrydd

Ceisiadau

Amrediad laser
Cyfathrebu laser
Rhybudd laser

Paramedr ffotodrydanol（@Ta=22±3℃）

Eitem #	Categori pecyn	Diamedr arwyneb ffotosensitif (mm)	Ystod ymateb sbectrol (nm)	Foltedd chwalu （V）	Ymatebolrwydd M=10 λ=1550nm (kV/W)	Amser codi （ns）	Lled band (MHz)	Cyfernod Tymheredd T_a=-40 ℃ ～ 85 ℃ （V/℃）	Pŵer sy'n cyfateb i sŵn (pW/√Hz)	Concentricity (μm)	Math wedi'i ddisodli mewn gwledydd eraill
GD6510Y	I-8	0.2	1000 ～ 1700	30-70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		-
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B