Cyfres tiwb sengl 905nmAPD

Model: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P GD5210Y-2-5-P

Ffotodiod eirlithriad silicon yw'r ddyfais, mae'r ymateb sbectrol yn amrywio o olau gweladwy i isgoch bron, a thonfedd yr ymateb brig yw 905nm.

cael dyfynbris Lawrlwythwch

Paramedr Technegol

Nodweddion ffotodrydanol (＠Ta＝22±3℃)
Model		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Arae
Ffurflen pecyn		I-46	I-46	I-46	LCC3	LCC3	pecynnu plastig	pecynnu plastig	PCB
Diamedr wyneb ffotosensitif (mm)		0.23	0.50	0.80	0.23	0.50	0.23	0.50	addasu
Ystod ymateb sbectrol (nm)		400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100
Tonfedd ymateb brig (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Ymatebolrwydd λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Cerrynt tywyll M=100(nA)	Nodweddiadol	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	Yn ôl ffotosensitifrwydd
Cerrynt tywyll M=100(nA)	Uchafswm	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Un ochr
Amser ymateb λ=905nm R1=50Ω(ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	Yn ôl wyneb ffotosensitif
Cyfernod tymheredd foltedd gweithio T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
Cyfanswm cynhwysedd M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Yn ôl wyneb ffotosensitif
foltedd chwalu IR=10μA(V)	Isafswm	130	130	130	130	130	130	130	160
foltedd chwalu IR=10μA(V)	Uchafswm	220	220	220	220	220	220	220	200

Pâr o: Cyfres tiwb sengl 800nmAPD

Nesaf: Cyfres tiwb sengl 1064nmAPD

Strwythur Sglodion Plane Blaen

Ymateb cyflymder uchel

Ennill uchel

Cynhwysedd cyffordd isel

Swn isel

Gellir addasu maint arae ac arwyneb ffotosensitif

Amrediad laser

Lidar

Rhybudd laser