Cyfres tiwb sengl 355nm APD

Model: GD5210Y-0-1-T05 / GD5210Y-0-2-T05

Disgrifiad Byr:

Mae'r ddyfais yn ffotodiod eirlithriad silicon wedi'i wella â UV gydag ardal ffotosensitif fawr, ac mae'r ymateb sbectrol yn amrywio o uwchfioled i bron-isgoch.

cael dyfynbris Lawrlwythwch

Paramedr Technegol

NODWEDDION

CAIS

Tagiau Cynnyrch

Nodweddion ffotodrydanol (＠Ta＝22±3℃)
Model			GD5210Y-0-1-T05	GD5210Y-0-2-T05
Ffurflen pecyn			I-5	I-5
Diamedr wyneb ffotosensitif (mm)			1.8	3.0
Ystod ymateb sbectrol (nm)			300 ~ 1100	300 ~ 1100
Ymatebolrwydd λ=355nm Φ=1μW M=100(A/W)			22.5	22.5
Cerrynt tywyll M=100(nA)		Nodweddiadol	3	15
		Uchafswm	10	50
Cyfernod tymheredd foltedd gweithio T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)			0.4	0.4
Cyfanswm cynhwysedd M=100 f=1MHz(pF)			20	50
Foltedd dadansoddiad IR=10μA(V)	Isafswm		80	80
	Uchafswm		200	200